Новости

В начале Февраля на Intel Connection Japan 2026 компания Intel сообщила о решении вывести на рынок новый тип памяти Z-Angle Memory (ZAM).

Cовместно с дочерней компанией INTEL - SoftBank — SAIMEMORY — планируется начать разработку нового типа памяти. Соответствующее соглашение опубликовано компаниями. В нем идет речь о фундаментальных исследованиях в области памяти, данный проект поддерживается программой Advanced Memory Technology (AMT) R&D, курируемый Министерством энергетики США и Национальным управлением ядерной безопасности при участии национальных лабораторий Sandia, Lawrence Livermore и Los Alamos.

Деталей применения новой технологии пока не так много. Пока известно, что в основе ZAM памяти лежат DRAM-кристаллы, Intel планирует внести в разработку — технологию Next Generation DRAM Bonding (NGDB).

Основное внимание уделяется тому, как архитектура Z-Angle помогает снижать ограничения в производительности и тепловыделении существующих решений.

Старт работ компаний Intel и SAIMEMORY планируется на первый квартал 2026 года. Первые прототипы ожидаются в 2027-м, а коммерческий продукт, должен появиться не ранее 2030 года.

ZAM - Альтернатива HBM

Z-Angle Memory изначально разрабатывается как альтернатива HBM, её целевым рынком выступят , как предполагается, ИИ-ускорители, соответственно высокий спрос на HBM в последние годы стал одной из причин резкого роста цен и причиной альтернативного решения.

ZAM базируется на вертикально стековых DRAM-структурах с проприетарной технологией разводки и соединения «Z-Angle». Само название отражает архитектyру: где память располагается по вертикальной оси, в несколько слоев, размещаясь друг над другом. Главной отличительной особенностью этого решения является совмещение ступенчатой топологии меж соединений, прокладывающей соединения по диагонали внутри стека кристаллов, а не сверля их перпендикулярно вниз. Этот подход обеспечивает значительно более высокую плотность хранения данных по сравнению с традиционными плоскими решениями.

В результате кремниевые слои ведут себя как единый монолитный блок, что должно снизить тепловое сопротивление и улучшить теплоотвод. В технологии HBM подобное решение планируется лишь с выходом HBM5. В текущих поколениях HBM применяются микробамп-соединения из меди или медно-оловянных сплавов, которые прессуются под воздействием температуры и давления. Хотя данное решение хорошо отработано, но имеет ограничения по масштабируемости.

Подключение ZAM к вычислительным кристаллам планируется реализовать с помощью EMIB. Аналогично Intel рассматривает EMIB-T как интерфейс для подключения будущей памяти HBM4.

По заявленным характеристикам Z-Angle Memory превосходит HBM сразу по нескольким параметрам. Емкость может быть выше в 2–3 раза, энергопотребление — ниже примерно на 50 %, а стоимость производства — ниже до 60 %. Помимо этого, ZAM объединяет более высокую пропускную способность с заметно лучшей энергоэффективностью, что делает эту технологию потенциально привлекательной альтернативой дальнейшей эволюции HBM.

Итогом : по предварительным данным, ZAM будет потреблять на 40–50% меньше энергии, чем HBM, заменой которой она может являться. Объем памяти на одном чипе может достигать 512 ГБ.

Источник: www.hardwareluxx.ru, www.ixbt.com/news/2026/02/10..