Новости

Samsung выводит на рынок флагманское решение UFS 5.0 для систем хранения данных мобильного класса

Корпорация Samsung Electronics официально представила отраслевое решение Universal Flash Storage (UFS) 5.0 — первую в индустрии флеш-память нового поколения, предназначенную для устройств следующего поколения. Несмотря на сохраняющуюся волатильность на рынке полупроводниковой памяти и дефицит компонентной базы, вендор подтвердил планы по запуску серийного выпуска новых чипов в четвёртом квартале 2026 года. Данная разработка устанавливает новый отраслевой ориентир для рынка мобильной памяти следующего поколения.

Технические характеристики: двукратный прирост производительности

Согласно опубликованным спецификациям, новое запоминающее устройство обеспечивает скорость последовательного чтения до 10,8 ГБ/с и последовательной записи до 9,5 ГБ/с. По сравнению с предшествующим стандартом UFS 4.1, пиковые показатели которого не превышали 4,3 ГБ/с, производительность увеличивается более чем вдвое. Решение базируется на интерфейсной спецификации JEDEC UFS 5.0 и производится с применением девятого поколения фирменной V‑NAND (V9).

В количественном выражении прирост производительности выглядит следующим образом: UFS 4.1 обеспечивал последовательное чтение на уровне около 4,2 ГБ/с и последовательную запись — около 2,8 ГБ/с; UFS 5.0 достигает соответственно 10,8 ГБ/с и 9,5 ГБ/с. Таким образом, скорость чтения возрастает примерно на 157 %, а скорость записи — на 239 %. Помимо этого, UFS 5.0 демонстрирует пятикратное превосходство над предшественником по скорости случайного чтения.

На практике фактическая пропускная способность будет зависеть от контроллера, системы-на-кристалле (SoC), эффективности системы охлаждения, файловой системы и характера нагрузки. Тем не менее заявленные характеристики выводят мобильную флеш-память на уровень, превышающий пропускную способность многих современных PCIe Gen 4 NVMe‑твердотельных накопителей для настольных систем, у которых типичная скорость последовательного чтения составляет около 7,5 ГБ/с. Это открывает перспективы для создания более тонких и лёгких устройств, которые могут отказаться от использования слотов M.2 без потери производительности хранения данных.

Ориентация на локальные ИИ-вычисления

Основным драйвером внедрения UFS 5.0 выступает смещение вычислительных нагрузок генеративных нейросетей с облачных платформ непосредственно на конечные устройства. Как следствие, подсистема хранения данных трансформируется из пассивного носителя в ключевой элемент инфраструктуры, обеспечивающий ИИ‑вычисления. Новая память ориентирована на сокращение задержек при обработке больших языковых моделей (LLM) в сценариях локального выполнения.

Аналогичные тенденции ранее отмечались в стратегии Apple в отношении будущих поколений iPhone и iOS — обе компании видят в высокоскоростной локальной памяти основу для развития устройств с интенсивными ИИ‑нагрузками.

Энергоэффективность: снижение потребления на 40 %

Помимо прироста производительности, заявлено существенное повышение энергоэффективности. По данным производителя, UFS 5.0 обеспечивает обработку эквивалентного объёма данных с энергопотреблением примерно на 40 % ниже, чем у UFS 4.1. Данный показатель достигается за счёт внедрения технологий тактирования (clock gating) и многозонного регулирования напряжения (multi‑voltage technologies), которые снижают энергозатраты при передаче данных и уменьшают тепловыделение. Оптимизированная сигнализация PAM4 и эффективная протокольная архитектура также вносят вклад в снижение энергопотребления.

При этом пиковая потребляемая мощность в абсолютном выражении может возрасти вследствие кратного увеличения скоростей обмена информацией. Однако в целом улучшенная энергоэффективность должна способствовать увеличению времени автономной работы мобильных устройств следующего поколения.

Компактный форм-фактор: уменьшение на 16,7 %

Конструктивные характеристики микросхем также претерпели изменения. Габариты корпуса составляют 7,5 × 13 × 0,9 мм, что на 16,7 % меньше по сравнению с предшествующим поколением (11 × 13 × 1 мм). Уменьшенный форм-фактор существенно расширяет возможности интеграции не только в смартфоны, но и в носимые устройства, системы дополненной и смешанной реальности (XR), а также иные компактные аппаратные платформы. На старте продаж будут доступны модификации ёмкостью до 1 Тбайт.

Планы производства и первые устройства

Сроки начала массового производства — четвёртый квартал 2026 года — позволяют предположить, что первые коммерческие устройства на базе UFS 5.0 появятся в первом полугодии 2027 года. Вероятным кандидатом называется флагманская серия Galaxy S27, анонс которой ожидается весной 2027 года. В число потенциальных платформ может войти разрабатываемый процессор Exynos 2700, который, по данным инсайдеров, будет поддерживать UFS 5.0 на аппаратном уровне. При этом Samsung официально не подтверждала привязку нового стандарта к конкретным устройствам.

Стоимостные параметры и конкретные продуктовые линейки пока не раскрываются. Также отсутствует информация о том, какие производители устройств и мобильные системы-на-кристалле первыми получат поддержку UFS 5.0. Более детальные сведения ожидаются после запуска серийного выпуска в конце 2026 года.

Конкурентная среда: не только Samsung

Следует отметить, что Samsung не является единственным игроком на данном направлении. Конкуренты, включая Kioxia и SK hynix, также ведут разработки в области UFS 5.0. Kioxia начала поставки оценочных образцов в феврале 2026 года, предлагая версии объёмом 512 Гбайт и 1 Тбайт. Стандарт UFS 5.0, спецификация которого была практически завершена JEDEC в октябре 2025 года, призван удовлетворить растущие требования к производительности и ёмкости на мобильном рынке. Таким образом, в 2027 году на рынке ожидается появление решений от нескольких производителей, что будет способствовать более широкому распространению стандарта, а такие компании, как MediaTek, уже готовят платформы для поддержки новых накопителей.